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Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02

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Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02,具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。

  DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可节省20%的PCB空间和30%的成本。由于采用更少的元件,使得终端设备的制造厂商可以减少材料清单数,从而降低了生产成本,并提高了设备的可靠性。通过简化硬件的复杂度,并采用单个器件实现软件通信,使产品设计人员的设计周期得到了缩短。该新型存储器件具有空前大的阵列容量,能够用于多种应用,包括通信、医疗、消费品和工业终端设备。

  与传统的分立方案相比,DS28DG02的集成方案、以及存储器阵列和单组控制/状态寄存器在复杂度上具有明显的优势。

  DS28DG02的矩阵容量具有其他任何单片器件所不能比拟的集成度。电路包括2kb EEPROM阵列,可以在满足尺寸要求的基础上,保存系统配置、校准、工作设置等多数应用所需的参数。此外,器件还提供页面边界可编程写保护模式,用于保护存储的数据。

  12路双向、用户可编程GPIO通道为适应宽范围的应用提供了高度的灵活性和便利性。GPIO可配置为输入或输出模式、开漏或推挽模式,并且可由EEPROM寄存器编程设置到指定的上电状态。此外,当工作在3.3V时,GPIO可吸入最大22mA的电流,使其适用于LED开/关指示控制。

  DS28DG02的RTC可提供BCD格式的时钟/日历,且带有可编程时钟/日历闹钟。对于便携式电子设备来说,该RTC的最大优势在于当VCC掉电时,器件可以采用外部备份电源,例如锂离子纽扣电池供电。


责任编辑: 整理时间:2007-6-1 15:19:56
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